Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 17 » Статья стр. 87
<<<>>>
Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта<Mn >-слоем в GaAs барьере
Дорохин М.В.1, Данилов Ю.А.1, Прокофьева М.М.1, Шолина А.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
PDF версия
Исследованы температурные зависимости фотолюминесценции гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовой ямой и близкорасположенным акцепторным дельта< Mn>-легированным слоем в GaAs барьере. Обнаружено повышение температурной стабильности и снижение температурного гашения в исследованных структурах по сравнению с контрольными структурами, не содержащими дельта-слоя. Повышение рабочей температуры объясняется появлением дополнительного потенциального барьера для электронов вследствие введения дельта-легированного акцепторного слоя в приповерхностный барьер.
  1. Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y., Sugahara S., Tanaka M. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 017201
  2. Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. P. 245110
  3. Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кулаковский В.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. В. 10. С. 730--735
  4. Vening M., Dunstan D.J., Homewood K.P. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. N 4. P. 2412--2417
  5. Martini S., Quivy A.A., Tabata A., Leite J.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 5. P. 2280--2289
  6. Bacher G., Hartmann C., Schweizer H., Held T., Mahler G., Nickel H. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. N 15. P. 9545--9555
  7. Дроздов Ю.Н., Алешкин В.Я., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний Новгород, 11--14 марта 2002 г. ИФМ РАН. С. 219--222
  8. Оптические свойства полупроводников / Под ред. Р. Уилардсона, А. Бира. М.: Мир, 1970. С. 458--467
  9. Nemec H., Pashkin A., Kuzel P., Khazan M., Schnull S., Wilke I. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 3. P. 1303--1306
  10. Шик А.Я. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 7. С. 1161--1181
  11. Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 14. С. 8--17

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme