Вышедшие номера
Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта<Mn >-слоем в GaAs барьере
Дорохин М.В.1, Данилов Ю.А.1, Прокофьева М.М.1, Шолина А.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Исследованы температурные зависимости фотолюминесценции гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовой ямой и близкорасположенным акцепторным дельта< Mn>-легированным слоем в GaAs барьере. Обнаружено повышение температурной стабильности и снижение температурного гашения в исследованных структурах по сравнению с контрольными структурами, не содержащими дельта-слоя. Повышение рабочей температуры объясняется появлением дополнительного потенциального барьера для электронов вследствие введения дельта-легированного акцепторного слоя в приповерхностный барьер.