Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов
Левин М.Н.1, Бондаренко Е.В.1, Бормонтов А.Е.1, Татаринцев А.В.1, Гитлин В.Р.1
1Воронежский государственный университет
Email: levin@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию.
- Кадменский А.Г., Кадменский С.Г., Левин М.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. N 3. С. 41--45
- Levin M.N., Maslovsky V.M. // Solid State Comm. 1994. V. 90. P. 813--816
- Grove А.S., Snow E.Н. // Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 894--895
- Stanley А.G. // IEEE Trans. Electron Dev. 1967. V. 14. P. 134--138
- McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1990. V. 37. N 6. P. 1682--1689
- Левин М.Н., Татаринцев А.В., Макаренко В.А., Гитлин В.Р. // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. N 5. С. 382--391
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук