Вышедшие номера
Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов
Левин М.Н.1, Бондаренко Е.В.1, Бормонтов А.Е.1, Татаринцев А.В.1, Гитлин В.Р.1
1Воронежский государственный университет
Email: levin@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию.