"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Видимая фотолюминесценция пленок ZnO, сформированных электрохимическим методом на кремниевых подложках
Чубенко Е.Б.1,2, Бондаренко В.П.1,2, Balucani M.1,2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Римский Университет "La Sapienza", Рим, Италия
Email: eugene.chubenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Сплошные кристаллические пленки оксида цинка (ZnO) толщиной 6-10 mum получены электрохимическим осаждением из водных растворов нитрата цинка на кремниевых подложках с буферным слоем никеля. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено, что пленки имеют гексагональную кристаллическую решетку с преимущественной ориентацией (0002). Полученные пленки ZnO показали сильную фотолюминесценцию в видимой области спектра при комнатной температуре PACS: 78.66.Hf, 82.45.Aa, 78.55.-m
  1. Wang Z.L. // Materials Today. 2004. V. 7. Iss. 6. P. 26
  2. Lincot D. // Thin Solid Films. 2005. V. 487. P. 40
  3. Yoshida T., Komatsu D., Shimokawa N., Minura H. // Thin Solid Films. 2004. V. 451--452. P. 166
  4. Dem'yanets L.N., Lyutin V.I. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 993
  5. Otani S., Katayama J., Umemoto H., Matsuoka M. // J. Electrochem. Soc. 2006. V. 153. P. C.551
  6. Zhang W.C., Wu X.L., Chen H.T., Zhu J., Huang G.S. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 3718
  7. Mo C.M., Li Y.H., Liu Y.S., Zhang Y., Zhang L.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 4389
  8. Gao F., Naik S.P., Sasaki Y., Okubo T. // Thin Solid Films. 2006. V. 495. P. 68
  9. Chen H.G., Shi J.L., Chen H.R., Yan J.N., Li Y.S., Hua Z.L., Yang Y., Yan D.S. // Opt. Mater. 2004. V. 25. P. 79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.