Вышедшие номера
Межслоевая релаксация в гетероструктурах AIII-нитридов по данным рентгеновской дифракции
Кютт Р.Н.1, Динаев Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Проведено рентгенодифракционное исследование структурного совершенства 2 образцов двухслойной гетеросистемы InN-GaN, выращенной методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии на (0001)-плоскости сапфира. Из анализа уширений дифракционных пиков, измеренных в разной геометрии дифракции, получены компоненты тензора микродисторсии и из них оценена плотность отдельных семейств дислокаций в каждом из слоев. Прослежено изменение дислокационной структуры от нижележащего слоя GaN к вышележащему слою InN. Разница в поведении дислокаций в 2 образцах, выращенных разными методами, позволяет предположить разные механизмы релаксации упругих напряжений между слоями InN и GaN в этих двух случаях. PACS: 61.05.cp, 61.72.Lk, 61.72.uj