"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Получение слоев изотопно-модифицированного кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы тетрафторида кремния
Сенников П.Г.1, Голубев С.В.1, Шашкин В.И.1, Пряхин Д.А.1, Дроздов М.Н.1, Андреев Б.А.1, Pohl H.-J.1, Годисов О.Н.1
1Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород, Россия Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия VITCON Projectconsult GmbH,, Jena, Germany Научно-технический центр "Центротех-ЭXЗ", Санкт-Петербург, Россия Институт химии высокочистых веществ РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: pda@ipm.sci.-nnov.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Методом плазмохимического осаждения с использованием изотопно-модифицированного тетрафторида кремния были получены слои кремния, отличающиеся изотопным составом от природного распределения изотопов. Полученные слои обладают аморфной структурой и характеризуются значительным содержанием кислорода в своем составе. Образцы исследованы методами рамановской спектроскопии, изучен спектр пропускания в ИК-диапазоне и распределение концентрации изотопов по толщине слоя методом вторичной ионной масс-спектрометрии. PACS: 61.46.Hk, 73.63.Bd, 81.07.Bc, 52.77.Dq
  1. Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний --- материал нанотехнологий. М.: Техносфера, 2007. 352 с
  2. Nanosilicon / Ed. V. Kumar. Elsevier Ltd, 2008. 368 p
  3. Djeridane Y., Abramov A., Roca i Cabarrocas P. // Thin Solid Films. 2007. V. 515. P. 7451
  4. Haller E.E. // Solid State Comm. 2005. V. 133. P. 693
  5. Haller E.E., Ager J.W. Encyclopedia of Condensed Matter Physics: Semiconductors. Elsevier Ltd, 2005. P. 43
  6. Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1484
  7. Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1486
  8. Ural A., Griffin P.B., Plummer J.D. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1706
  9. Nakabayashi Y., Segawa T., Osman H.I. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. L1133
  10. Takahashi T., Fukatsu S., Itho K et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 3674
  11. Kojima T., Nebasi R., Itoh K.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2318
  12. Ager III J.W., Haller E.E. // Phys. Stat. Sol. (a). 2006. V. 203. P. 3550
  13. Takyu K., Itoh K.M., Oka K. et al. // Jpn. Appl. Phys. Part 1. 1999. V. 38. P. L 1493
  14. Becker P., Bettin H., Bievre P. // IEEE Trans. Instrum. Meas. 1995. V. 44. P. 522.
  15. Bulanov A.D., Devjatych G.G., Gusev A.V. // Cryst. Res. Technol. 2000. V. 35. P. 1023
  16. Сенников П.Г., Голубев С.В., Шашкин В.И. и др. // Тез. докл. V Международной конференции "Кремний-2008". Черноголовка, 1--4 июля 2008 г. С. 173
  17. Shashkin V.I., Pryakhin D.A., Sennikov P.G. и др. // Proceedings of Int. Symposium "Topical problems of nonlinear wave physics". Nizhny Novgorod, Russia, 20--26 July, 2008. P. 87
  18. Hu S.M. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 5945
  19. Sasaki Y., Kitahara M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 4344
  20. Langford A.A., Fleet M.L., Nelson A.J. et al. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 5154
  21. Langford A.A., Nelson B.P., Fleet M.L. et al. // Phys. Rev. B. 1990. P. 7245.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.