Вышедшие номера
Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений. PACS: 78.60.Fi, 78.60.-b, 78.55.-m