Высокотемпературные динисторы на основе фосфида галлия
Жиляев Ю.В.1, Панютин Е.А.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Eugeny.Panyutin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Изложены элементы технологии и приведены основные характеристики фосфид-галлиевых динисторов, полученных методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе и предназначенных для работы в высокотемпературной (до 400oC) среде. Характерная особенность исходной эпитаксиальной n-p-n-p-структуры - использование бинарного цинк-магниевого легирования p-эмиттерного слоя, что по сравнению с традиционным акцептором (магнием) привело к улучшению параметров переключения прибора - снижения остаточного напряжения при сохранении приемлемого уровня обратного тока. Наблюдаемая оптимизация ВАХ связывается с различиями в механизмах диффузии цинка и магния в решетке GaP, что при определенных условиях может приводить к демпфированию влияния присутствующих в слоях структурных дефектов. PACS: 81.15.Kk, 85.40.Ry, 85.30.Rs
- Chaffin R.J., Dawson L.R. // Proc. IEEE. Conf. On High-Temperature Electronics (Tusson, 1981). New York, 1981. P. 39--42
- Thomas E.Z., Roger J.C., Dawson L.R. // Proc. IEEE. 1982. V. IE-29. N 2. P. 129--135
- Zipperian T.E., Thomas E., Dawson L.R. // IEEE Tr. El. Devices. 1982. V. 29. N 10. P. 1690
- Keune D.L., Grefield M.G. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. N 8. P. 3417--3421
- Жиляев Ю.В., Панютин Е.А., Фeдоров Л.М. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 20. С. 81--86
- Григорьев Н.Н., Кудыкина Т.А. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 7. С. 697
- Лабунов В.А., Величко О.И., Федорчук С.К. // ИФЖ. 1994. Т. 64. N 5--6. С. 433--436
- Малкович Р.Ш. // Математика диффузии в полупроводниках. СПб., 1999. 390 c
- Панютин Е.А. // Письма в ЖТФ. 2009. В. 13. С. 33--40
- Панютин Е.А. // Препринт ФТИ N xxx, 2009
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.