Изложены элементы технологии и приведены основные характеристики фосфид-галлиевых динисторов, полученных методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе и предназначенных для работы в высокотемпературной (до 400^oC) среде. Характерная особенность исходной эпитаксиальной n-p-n-p-структуры - использование бинарного цинк-магниевого легирования p-эмиттерного слоя, что по сравнению с традиционным акцептором (магнием) привело к улучшению параметров переключения прибора - снижения остаточного напряжения при сохранении приемлемого уровня обратного тока. Наблюдаемая оптимизация ВАХ связывается с различиями в механизмах диффузии цинка и магния в решетке GaP, что при определенных условиях может приводить к демпфированию влияния присутствующих в слоях структурных дефектов. PACS: 81.15.Kk, 85.40.Ry, 85.30.Rs

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.