Вышедшие номера
Электрические свойства фотодиодов на основе p-GaSb/p-GaInAsSb/ N-GaAlAsSb гетеропереходов
Ahmetoglu(Afrailov) M.1, Kaynak G.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Department of Physics, Uludag University,, Gorukle, Bursa, Turkey Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igor@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Проведено исследование электрических характеристик фотодиодов на основе p-GaSb/p-GaInAsSb/N-GaAlAsSb гетеропереходов. Изучены механизмы протекания тока в гетероструктурах при различных температурах. Сравнение экспериментальных и теоретических результатов показало, что при низких температурах (T<150 K) как для прямого, так и для обратного тока преобладает туннельный механизм протекания. Величина туннельного тока становится определяющей при напряженности электрического поля p-n перехода не менее 105 V/cm и есть следствие малой ширины запрещенной зоны исследуемых материалов и малых эффективных масс электронов и дырок. PACS: 73.40.Kp, 85.60.Dw