Вышедшие номера
Сверхбыстрая частотная перестройка диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3-4 mum
Астахова А.П.1, Данилова Т.Н.1, Именков А.Н.1, Калинина К.В.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dap@iropt4.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Изучено качество частотной перестройки диодного лазера на основе двойной гетероструктуры n-InAsSbP/n-InAsSb/p-InAsSbP при питании короткими импульсами тока с наклонной вершиной положительной крутизны. Обнаружено, что монотонность увеличения частоты перестриваемой моды со временем сохраняется в течение первых 30 mum роста тока. Далее зависимость частоты от тока ослабляется из-за появления неперестраиваемых мод. Максимальный диапазон одночастотной монотонной перестройки достигается при малой длительности импульса (<30 mus), что открывает перспективу для создания сверхбыстрой диодной лазерной спектроскопии. PACS: 85.60.Bt, 78.60.Fi