Тонкопленочная структура PZT/SiC на кремниевой подложке: формирование, структурные особенности и диэлектрические свойства
Пронин И.П.1,2, Каптелов Е.Ю.1,2, Сенкевич С.В.1,2, Климов В.А.1,2, Феоктистов Н.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Кукушкин С.А.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Получена новая тонкопленочная сегнетоэлектрическая структура на основе системы Pt/PZT/SiC/Si. Основу данной структуры составляет пленка Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), сформированная на тонких (толщиной 90-100 nm) монокристаллических слоях карбида кремния политипов 3C-SiC и 4H-SiC, полученных на кремниевых подложках новым методом твердофазной эпитаксии. Сообщается о методах формирования данной гетеросистемы, ее структурных и диэлектрических характеристиках. PACS: 77.55.+f, 85.50.Gk, 81.15.Np
- Wu S.-Y. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1974. Ed-21 (8), P. 499
- Wu S.-Y. // Ferroelectrics. 1976. V. 11. P. 379
- Dawber M., Rabe K.M., Scott J.F. // Review of Modern Physics. 2005. V. 77. P. 1083
- Kim T.W., Yoon Y.S., Yoon S.S., Lee J.Y. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 2676
- Wrigth W., Fransic I.F. // J. Mater. Res. 1993. V. 8. P. 1712
- Mou D., Linnros J., Peterson C.S., Rao K.V. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. N 10. P. 5785
- Ko S.-M., Khartsev S.I., Zetterlink C.-M., Grishin A.M., Ostling M. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 895
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. N 7. С. 1188
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // Заявка на патент РФ N 2007129834, приоритет 03.08.2007
- Willems G.J., Wouters D.I., Maes H.E. // Integr. Ferroelectrics. 1997. V. 15. P. 293
- Afanasjev V.P., Petrov A.A., Pronin I.P., Tarakanov E.A., Pankrashkin A.V., Kaptelov E.Yu and J. Graul. // J. Phys.: Condensed Matter. 2001. V. 13. P. 8755
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.