"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Выращивание гетероструктур GaN/InGaN методом аммиачной МЛЭ с использованием "смачивающего" слоя металлического индия
Алексеев А.Н.1, Бырназ А.Э.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Чалый В.П.1, Шкурко А.П.1
1ЗАО "Светлана--РОСТ", Санкт-Петербург
Email: support@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Исследовано влияние условий роста слоев InGaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с использованием аммиака в качестве источника азота на свойства гетероструктур GaN/InGaN. Установлено, что зависимость критического потока индия, приводящего к каплеобразованию при выращивании слоев InGaN на GaN, экспоненциальна и определяется усиливающейся десорбцией индия с поверхности растущего слоя при повышении температуры роста. Выращивание слоев InGaN на GaN даже при максимально возможном не приводящем к каплеобразованию потоке индия приводит к тому, что профиль распределения индия в слоях InGaN растянут. Показано, что для получения резких гетерограниц и увеличения содержания индия в тонких слоях InGaN необходимо поддержание на поверхности GaN перед и в ходе роста InGaN так называемого "смачивающего" слоя металлического индия. На основании полученных результатов установлены базовые условия роста тонких слоев InGaN для активной области светоизлучающих приборов сине-фиолетовой области спектра. PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c
  • Nakamura S. // Sol. St. Comm. 1997. V. 102. N 2--3, P. 237--248
  • Grandjean N., Massies J., Dalmasso S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 3616--3619
  • Naranjo F.B., Fernandez S., Sanchez-Garcia M.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 2198--2200
  • Waltereit P., Sato H., Poblenz C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N 15. P. 2748--2750
  • http://www.sle.sharp.co.uk/research/advanced\_optoelectronics/ blue\_led\_and\_ld.php
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.