Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 17 » Статья стр. 13
<<<>>>
О высокотемпературном диффузионном легировании пористого SiC
Мынбаева М.Г.1, Мохов Е.Н.1, Лаврентьев А.А.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
PDF версия
Приводятся результаты экспериментов по высокотемпературному (2000-2200oC) диффузионному легированию ванадием и эрбием пористого SiC (PSC). Утверждается, что специфика диффузионных процессов, происходящих в PSC при таких температурах, определяется модифицированием пористой структуры за счет диффузии вакансий. На основании сопоставления полученных результатов с данными по низкотемпературной (900-1000oC) диффузии сделано предположение о различии механизмов диффузии в PSC при низких и высоких температурах диффузионного отжига. Сделан вывод о том, что пористая структура в SiC является эффективной средой именно для низкотемпературной диффузии. PACS: 61.43.Gt, 66.30.J-, 61.72.U-
  1. Berezhkovskii A.M., Zitserman V.Yu., Shvartsman S.Y. // J. Chem. Phys. 2003. V. 119. P. 6991
  2. Астрова Е.В., Воронков В.Б., Грехов И.В., Нащекин А.В., Ткаченко А.Г. // Письма ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 23. С. 72
  3. Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 612
  4. Мынбаева М.Г., Лавреньев А.А., Фомин А.В., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 11. С. 72
  5. Бачериков Ю.Ю., Конакова Р.В., Литвин О.С., Охрименко О.Б., Светличный А.М., Московченко Н.Н. // Письма ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 4. С. 6
  6. Mynbaeva M., Lavrent'ev A., Kotousova I., Volkova A., Mynbaev K., Lebedev A. // Mater. Sci. Forum. 2005. V. 483--485. P. 269
  7. Soloviev S.I., Sudarshan T.S. // Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications / R.M. Feenstra and C.E.C. Wood. London: John Wiley and Sons, 2008. PP. 31--54
  8. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. N 137. Ch. 3. P. 197
  9. Koshka Y., Song Y., Walker J., Saddow S.E., Mynbaeva M. // Mater. Sci. Forum. 2004. V. 457--460. P. 763
  10. Mynbaeva M. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 742. P. 303
  11. Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 1571
  12. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л.: Изд-во ЛИЯФ, 1980. С. 136

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme