Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О высокотемпературном диффузионном легировании пористого SiC
Мынбаева М.Г.1, Мохов Е.Н.1, Лаврентьев А.А.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
Приводятся результаты экспериментов по высокотемпературному (2000-2200oC) диффузионному легированию ванадием и эрбием пористого SiC (PSC). Утверждается, что специфика диффузионных процессов, происходящих в PSC при таких температурах, определяется модифицированием пористой структуры за счет диффузии вакансий. На основании сопоставления полученных результатов с данными по низкотемпературной (900-1000oC) диффузии сделано предположение о различии механизмов диффузии в PSC при низких и высоких температурах диффузионного отжига. Сделан вывод о том, что пористая структура в SiC является эффективной средой именно для низкотемпературной диффузии. PACS: 61.43.Gt, 66.30.J-, 61.72.U-
- Berezhkovskii A.M., Zitserman V.Yu., Shvartsman S.Y. // J. Chem. Phys. 2003. V. 119. P. 6991
- Астрова Е.В., Воронков В.Б., Грехов И.В., Нащекин А.В., Ткаченко А.Г. // Письма ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 23. С. 72
- Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 612
- Мынбаева М.Г., Лавреньев А.А., Фомин А.В., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 11. С. 72
- Бачериков Ю.Ю., Конакова Р.В., Литвин О.С., Охрименко О.Б., Светличный А.М., Московченко Н.Н. // Письма ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 4. С. 6
- Mynbaeva M., Lavrent'ev A., Kotousova I., Volkova A., Mynbaev K., Lebedev A. // Mater. Sci. Forum. 2005. V. 483--485. P. 269
- Soloviev S.I., Sudarshan T.S. // Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications / R.M. Feenstra and C.E.C. Wood. London: John Wiley and Sons, 2008. PP. 31--54
- Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. N 137. Ch. 3. P. 197
- Koshka Y., Song Y., Walker J., Saddow S.E., Mynbaeva M. // Mater. Sci. Forum. 2004. V. 457--460. P. 763
- Mynbaeva M. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 742. P. 303
- Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 1571
- Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л.: Изд-во ЛИЯФ, 1980. С. 136
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
