Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2008, выпуск 16 » Статья стр. 65
<<<>>>
Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках AlN/SiC
Алексеев А.Н.1, Александров С.Б.1, Бырназ А.Э.1, Кокин С.В.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский М.Ю.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Ткаченко А.Г.1, Чалый В.П.1, Шкурко А.П1
1Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: suppotr@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
PDF версия
Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста нитридных транзисторных гетероструктур на подложки AlN/SiC. Использование многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN позволило практически воспроизвести основные приборные свойства гетероструктур, несмотря на более шероховатую по сравнению с сапфиром поверхность исходных подложек AlN/SiC. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках AlN/SiC, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений. PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c
  1. Kuzm J., Javorka P., Alam A. et al. // IEEE Trans. Electron Dev. 2002. V. 49. P. 1496
  2. Chini A., Buttari D., Coffie R. et al. // Elec. Lett. 2004. V. 40. P. 73
  3. Wu Y.F., Saxler A., Moore M. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 117--119
  4. Sun J., Fatima H., Koudymov A. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2003. V. 24. P. 375--377
  5. Xu J.J., Keller S., Parish G. et al. // IEEE Transactions On Microwave Theory and Techniques. 2000. V. 48. P. 2573--2578
  6. Chu K.K., Chao P.C., Pizzella M.T. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 596--598
  7. Hu X., Deng J., Pala N. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1299--1301
  8. Bove Ph., Thuret J., Letertre F. et al. // Manufacturing Engineered wafers for GaN RF power applications. GaAs MANTECH. New Orleans. 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005Papers/4.3.pdf)
  9. Ducatteau D., Minko A., Hoel V. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2006. V. 27. P. 7--9
  10. Kikkawa T., Imanishi K., Kanamura M. et al. // Recent Progress of Highly Reliable GaN--HEMT for Mass Production. GaAs MANTECH. Princeton, 2006. (htt://gaasmantech.org/Digest/2006/2006%20Digests/12A.pdf)
  11. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Беляевский Д.Е. и др. // Тез. докл. V Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". М., 2007. С. 42
  12. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. С. 19--27

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme