Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Численная визуализация процесса инверсии фронта кристаллизации при выращивании оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vasifm@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Впервые выполнено моделирование процесса вытягивания оксидного кристалла методом Чохральского от момента затравления до выхода на режим стационарного роста. Показано, что инверсия межфазной границы на стадии разращивания кристалла является весьма сложным процессом, который сопровождается интенсивными осцилляциями скорости кристаллизации. Приводятся рисунки, отражающие вариации формы кристалла в процессе вытягивания. PACS: 02.70.-c, 07.05.Rm, 07.05.Tp, 44.05.-e, 44.40.-a, 81.10.Fq
- Xiao Q., Derby J.J. // J. Crystal Growth. 1994. V. 139. P. 147
- Kobayashi M., Hagino T. et al. // J. Crystal Growth. 2002. V. 235. P. 258
- Schwabe D., Sumathi R.R., Wilke H. // J. Crystal Growth. 2004. V. 265. P. 494
- Буденкова О.Н., Юферев В.С., Иванов И.А., Бульканов А.М., Калаев В.М. // Труды VI Межд. конф. по росту кристаллов и тепломассопереносу. Обнинск, 2005. Т. 1. С. 75
- Budenkova О.N., Vasiliev M., Yuferev V., Kalaev V. // J. Crystal Growth. 2007. V. 303. P. 156
- Bogart N., Dupret F. // J. Crystal Growth. 1997. V. 171. P. 65--76, 77--93
- Flow module of CGSim package, product of STR Inc, www.semitech.us
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
