Вышедшие номера
Интерфейсные превращения в структуре a-SiC/a-Si/6H-SiC при высокотемпературном (1500oC) отжиге
Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Проводились исследования интерфейсных реакций, происходящих при термическом отжиге "сэндвич"-структуры a-SiC/a-Si/6H-SiC. Пленки аморфного кремния и аморфного карбида кремния последовательно наносились на кристаллическую подложку 6H-SiC ионным распылением в вакууме. Отжиг структуры проводился при температуре 1500oC, т. е. выше точки плавления кремния. Показано, что в результате отжига кремниевая пленка полностью "растворяется" в SiC, предположительно за счет процессов растворения углерода в расплаве кремния и диффузии кремния в карбиде кремния. PACS: 82.33.Pt