Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Интерфейсные превращения в структуре a-SiC/a-Si/6H-SiC при высокотемпературном (1500oC) отжиге
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Проводились исследования интерфейсных реакций, происходящих при термическом отжиге "сэндвич"-структуры a-SiC/a-Si/6H-SiC. Пленки аморфного кремния и аморфного карбида кремния последовательно наносились на кристаллическую подложку 6H-SiC ионным распылением в вакууме. Отжиг структуры проводился при температуре 1500oC, т. е. выше точки плавления кремния. Показано, что в результате отжига кремниевая пленка полностью "растворяется" в SiC, предположительно за счет процессов растворения углерода в расплаве кремния и диффузии кремния в карбиде кремния. PACS: 82.33.Pt
- Polychroniadis E., Stoemenos J., Ferro G., Monteil Y., Panknin D., Skorupa W. // Materials Science Forum. 2004. V. 457--460. P. 351--354
- Yin X.H., Li M.S., Li T.P., Zhou Y.C. // Journal of Materials Science. 2007. V. 42. P. 7081
- Иванов П.А., Костина Л.С., Потапов А.С., Самсонова Т.П., Белякова Е.И., Аргунова Т.С., Грехов И.В. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 8. С. 941
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
