Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимости концентрации дивакансий при облучении электронами от содержания Ge в сплаве p-Si1-xGex (0<x<0.1)
Матчанов Н.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Email: sirnornur@uzsci.net
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Исследованы зависимости концентрации дивакансий от содержания Ge при облучении электронами 5 MeV в сплаве Si1-xGex в интервале составов 0<x<0.10. Показано, что в исследованном интервале составов вероятности образования первичных радиационных дефектов при облучении электронами слабо зависят от содержания германия. PACS: 61.82.Fk, 61.80.Fe, 61.82.Bg
- Watkins G.D., Corbett J.W. // Physical Review. 1965. V. 138. P. A543--A555
- Corbett J.W., Watkins G.D. // Physical Review. 1965. V. 138. P. A555--A560
- Young R.C., Corelli J.C. // Physical Review. 1972. V. B5. P. 1455--1467
- Cheng L.J., Corelli J.C., Corbett J.W., Watkins G.D. // Physical Review. 1966. V. 152. P. 761--774
- Svensson B.G., Willander M. // Journal of Applied Physics. 1987. V. 62. Is 7. P. 2758--2762
- Смирнов Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. С. 20
- Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. С. 42
- Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., Абросимов Н.В., Шредер В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 8. С. 927--931
- Atabaev I.G., Saidov M.S., Yusupov A., Khirunenko L.I., Shakhovtsov V.I., Shinkarenko V.K., Shpinar L.I. // Sov. Phys. Semicond. 1987. V. 21. N 3. P. 350--351
- Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 3. С. 562--565
- Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Саидов Д.Ш., Хажиев М.У. // Конференция по фундаментальным и прикладным проблемам физики полупроводников. Андижан, 2005, 20--21 декабря. С. 19--21. ( Atabaev I.G., Matchanov N.A., Saidov M.S., Yusupov A., Saidov D.Sh. // Computational Materials Science. 2007).
- Саидов М.С., Атабаев И.Г. и др. // ДАН РУз. 1986. N 3. С. 24--25
- Gosand A.E., Spitzer W.G. // J. of Appl. Phys. 1971. V. 42. N 13. P. 5241--5249
- Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Саидов Д.С., Хажиев М., Салиев Т.М. // Материалы конференции, посвященной Году физики-2005 "Физика в Узбекистане". 27--28 сентября, 2005. С. 48--50
- Саидов М.С., Лутпуллаев С.Л., Юсупов А., Атабаев И.Г., Хируненко Л.И., Матчанов Н.А., Саидов Д., Хажиев М.У. // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 9. С. 1582--1584.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
