Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 23 » Статья стр. 27
<<<>>>
Зависимости концентрации дивакансий при облучении электронами от содержания Ge в сплаве p-Si1-xGex (0<x<0.1)
Матчанов Н.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: sirnornur@uzsci.net
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
PDF версия
Исследованы зависимости концентрации дивакансий от содержания Ge при облучении электронами 5 MeV в сплаве Si1-xGex в интервале составов 0<x<0.10. Показано, что в исследованном интервале составов вероятности образования первичных радиационных дефектов при облучении электронами слабо зависят от содержания германия. PACS: 61.82.Fk, 61.80.Fe, 61.82.Bg
  1. Watkins G.D., Corbett J.W. // Physical Review. 1965. V. 138. P. A543--A555
  2. Corbett J.W., Watkins G.D. // Physical Review. 1965. V. 138. P. A555--A560
  3. Young R.C., Corelli J.C. // Physical Review. 1972. V. B5. P. 1455--1467
  4. Cheng L.J., Corelli J.C., Corbett J.W., Watkins G.D. // Physical Review. 1966. V. 152. P. 761--774
  5. Svensson B.G., Willander M. // Journal of Applied Physics. 1987. V. 62. Is 7. P. 2758--2762
  6. Смирнов Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. С. 20
  7. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. С. 42
  8. Помозов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., Абросимов Н.В., Шредер В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 8. С. 927--931
  9. Atabaev I.G., Saidov M.S., Yusupov A., Khirunenko L.I., Shakhovtsov V.I., Shinkarenko V.K., Shpinar L.I. // Sov. Phys. Semicond. 1987. V. 21. N 3. P. 350--351
  10. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 3. С. 562--565
  11. Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Саидов Д.Ш., Хажиев М.У. // Конференция по фундаментальным и прикладным проблемам физики полупроводников. Андижан, 2005, 20--21 декабря. С. 19--21. ( Atabaev I.G., Matchanov N.A., Saidov M.S., Yusupov A., Saidov D.Sh. // Computational Materials Science. 2007).
  12. Саидов М.С., Атабаев И.Г. и др. // ДАН РУз. 1986. N 3. С. 24--25
  13. Gosand A.E., Spitzer W.G. // J. of Appl. Phys. 1971. V. 42. N 13. P. 5241--5249
  14. Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Саидов Д.С., Хажиев М., Салиев Т.М. // Материалы конференции, посвященной Году физики-2005 "Физика в Узбекистане". 27--28 сентября, 2005. С. 48--50
  15. Саидов М.С., Лутпуллаев С.Л., Юсупов А., Атабаев И.Г., Хируненко Л.И., Матчанов Н.А., Саидов Д., Хажиев М.У. // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 9. С. 1582--1584.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme