Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 22 » Статья стр. 36
<<<>>>
Фотолюминесценция нанокристаллов Ga2S3:Eu
Тагиев Б.Г.1, Тагиев О.Б.1, Мишина Т.Г.1, Абушов С.А.1, Казымова Ф.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: oktay@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 15 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
PDF версия
В нанокристаллах Ga2S3 : 5 mol. % Eu2O3, приготовленных механическим способом, в интервале температур 77/ 300 K исследована фотолюминесценция (ФЛ). Спектр ФЛ нанокристаллов в отличие от спектра объемных кристаллов охватывает более широкую область длин волн (430/ 620 nm) и имеет два максимума при 507 и 556 nm. Интенсивность излучения нанокристаллов заметно больше интенсивности излучения объемных кристаллов. Полуширина спектра ФЛ линейно изменяется от T1/2. Зависимость интенсивности излучения от температуры I~ 1/T имеет три линейных участка, по которым определена энергия активации 0.04; 0.16 и 0.43 eV. Показано, что полосы ФЛ с максимумами при 507 и 556 nm обусловлены внутрицентровыми переходами 4f65d 4f7 ионов Eu2+. PACS: 78.55.-m
  1. Медведева З.С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы. М.: Наука, 1968. 216 с
  2. Nikitin P.I., Savchuk A.I., Medynskiy S.V., Stolyarchuk I.D. // Crystal Res. Technol. 1996. V. 31. P. 623--626
  3. Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Мишина Т.Г., Абушов С.А. // Сб. тр. V Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". СПб., 2006. C. 199--200
  4. Георгобиани А.Н., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Иззатов Б.М. // Неорг. матер. 1995. Т. 31. N 1. С. 19--22
  5. Пекар С.И. // УФН. 1953. Т. 10. С. 207
  6. Klick C.C., Schulman J.H. Luminescence in Solids, Solid State Physics. Vol. 5. New York: Academic Press Inc. Publishers, 1957
  7. Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. школа, 1982
  8. Dorenbos P. // J. Luminescence. 2003. V. 104. P. 239
  9. Миков С.Н., Пузов И.П. Об определении характеристик нанокристаллов по спектрам комбинационного рассеяния света // Учен. записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физ. Ульяновск, 1998. В. 2(5). С. 30--34.
  10. Горелик В.С., Оглуздин В.Е., Рахматуллаев И.А., Свербиль П.П., Червяков А.В. // Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". СПб., 2004. С. 132
  11. Петушков А.А., Шилов С.М., Пак В.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 21. С. 15--20.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme