Миграционное заращивание рельефа поверхности при формировании нанокристаллитов с использованием СВЧ газового разряда низкого давления
Нефедов Д.В.1, Яфаров Р.К.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
Email: pirpc@renet.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
Исследованы условия получения наноразмерных островков (квантовых точек) кремния в плазме СВЧ газового разряда низкого давления на некристаллических материалах со слабым взаимодействием на межфазной границе. Показано, что формирование наноостровков происходит через заращивание углублений рельефа поверхности подложки. Предложен механизм влияния параметров режима осаждения на кинетику их формирования. PACS: 61.30.Hn
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т. 32. N 4. С. 385--410
- Baron T., Martin F., Mur P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 164. P. 29--34
- Xiong H.-M., Zhao Xu, Chen Jie-Sheng // J. Phys. Chem. B. 2001. V. 105. P. 10 169--10 174
- Былинкина Н.Н., Муштакова С.П., Олейник В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 6. С. 43--47
- Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. // Зарубежная электронная техника. 1997. N 1. С. 77--120
- Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 247 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
