"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Нанолокальная зарядовая запись в тонких слоях SiO2 с встроенными Si нанокристаллами под зондом атомно-силового микроскопа
Дунаевский М.С.1, Титков А.Н.1, Ларкин С.Ю.1, Спешилова А.Б.1, Александров С.Е.1, Bonafos С.1, Claverie A.1, Laiho R.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Научно-производственный концерн "Наука" Киев, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия nMAT Group, CEMES-CNRS,, Toulouse, France Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
Email: Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Показана возможность устойчивой во времени нанолокальной зарядки тонких слоев окисла SiO2 с встроенными нанокристаллами Si. Локальная зарядка слоя SiO2 и контроль ее результатов осуществлялись под зондом атомно-силового микроскопа методом электростатической силовой микроскопии (ЭСМ). Нанокристаллы Si в слое SiO2 толщиной 12 nm получались имплантацией ионов Si+ с малыми энергиями 1 keV с последующим отжигом в атмосфере азота с присутствием 1.5 % кислорода. Отмеченные особенности формирования нанокристаллов Si привели к важным улучшениям их структурных свойств и, как результат, позволили достичь рекордный уровень локальности и большую длительность эффекта зарядки. В полученных слоях SiO2 с встроенными нанокристаллами Si диаметр областей зарядки не превышал 35 nm, а длительность сохранения заряда составляла десятки часов. Локальная ЭСМ-зарядка предлагается в качестве метода зарядовой нанолитографии на слоях окисла. PACS: 61.82.Rx, 68.37.Ps, 68.47.Gh
  1. Hanafi H.I., Tiwary S., Kham I. // IEEE Trans. Electron Devices. ED-43. 1993. P. 1553
  2. Jones J.T., Bridger P.M., Marsh O.J., McGill T.C. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1326
  3. Boer E.A., Brongersma M.L., Atwater H.A., Flagan R., Bell L. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 791
  4. Guillemot C., Budau P., Chevrier J., Marchi F., Comin F., Alandi C., Bertin F., Buffet N., Wyon Ch., Mur P. // Europhys. Lett. 2002. V. 59. P. 566
  5. Dianoux R., Smilde H.J.H., Marchi F., Buffet N., Mur P., Comin F., Chevrier J. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 1 25 303
  6. Girard P., Titkov A.N. Applied Scanning Probe Methods II, Scanning Probe Microscopy Techniques, 282--320 / Eds Bharat Bhushan and Harald Fuchs. Springer-Verlag, Berlin, 2006
  7. Ng C.Y., Chen T.P., Lau H.W., Liu Y., Tse M.S., Tan O.K., Lim V.S.W. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 2941
  8. Normand P., Kapetanakis E., Dimitrakis P., Tsoukalas D., Beltsios K., Cherkashin N., Bonafos C., Benassayag G., Coffin H., Claverie A., Soncini V., Agawal A., Ameen M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 168
  9. Bonafos C., Carrada M., Cherkashin N., Coffin H., Chassaing D., Assayag G.Ben, Claverie A., Muller T., Heinig K.H., Perego M., Fanciulli M., Dimitrakis P., Normand P. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. P. 5696
  10. Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А., Кеслер В.Г., Лейер А.Ф., Ruault M.O. // ФТП. 2002. V. 36. P. 685
  11. Lambert J., Guthmann C., Saint-Jean M. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 5369
  12. Colchero J., Gil A., Baro A.M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 245 403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.