"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Распределение неравновесных носителей заряда в нелинейном тонкопленочном конденсаторе
Вольпяс В.А.1, Гагарин А.Г.1, Козырев А.Б.1, Алтынников А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: mcl@eltech.ru
Поступила в редакцию: 14 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Измерены и проанализированы процессы релаксации емкости нелинейного тонкопленочного BSTO конденсатора между стационарными состояниями, определяемыми различными значениями приложенного напряжения смещения. На основе предложенной методики измерения динамических вольт-фарадных характеристик получены оценки значений коэффициентов диффузии и подвижности неравновесных носителей электрического заряда и область их пространственной локализации. PACS: 77.55.+f, 77.22.Ej, 77.80.Fm, 77.22.Jp
  1. Гольцман Б.М., Леманов В.В., Дедык А.И., Карманенко С.Ф., Тер-Мартиросян Л.Т. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 15. С. 46--52
  2. Boikov Yu.A., Goltsman B.M., Yarmarkin V.K., Lemanov V.V. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 3866
  3. Jin H.Z., Jing Zhu. // J. of Appl. Phys. 2002. V. 92. P. 4594
  4. Dawber M., Rabe K.M., Scott J.F. // Rev. of Mod. Phys. 2005. V. 77. P. 1083--1130
  5. Razumov S.V., Tumarkin A.V., Gaidukov M.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 81. N 9. P. 1675--1677
  6. Козырев А.Б., Солдатенков О.И., Иванов А.В. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 19. С. 19--25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.