Вышедшие номера
Улучшение параметров фотодиодных структур GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с тонкой активной областью для спектрального диапазона 1.0-2.5 mum
Астахова А.П.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Михайлова М.П.1, Сиповская М.А.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dap@iropt4.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы фотодиодные гетероструктуры с красной границей фоточувствительности 2.5 mum на основе GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb с активной областью Ga0.76In0.24As0.22Sb0.78 различной толщины и отражающим излучение контактом на тыльной стороне структуры. Показано, что уменьшение толщины активной области и отражение излучения на тыльной стороне позволяют улучшить параметры фотодиодов и термофотовольтаических преобразователей в спектральном диапазоне 1.0-2.5 mum. Получена обнаружительная способность D*lambda=(3-6)· 1010 cm· Hz1/2/W и фотоэдс разомкнутой цепи Voc=0.2 V. PACS: 85.60.DW