Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение и исследование непрерывного твердого раствора (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
Email: Sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема свинцового раствора-расплава выращивались эпитаксиальные слои непрерывного твердого раствора (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y (0=< x=< 0.9 и 0=< y=< 0.92) p-типа проводимости на n-Si подложках. Определен профиль распределения атомов по глубине в твердом растворе (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности nSi-p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y структур. PACS: 81.05.-t, 78.20.-e, 81.05.Hd
- Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. // Materials chemistry and physics. 2001. V. 68. P. 1--6
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962
- Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986. С. 127
- Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 5--6. С. 57--67
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
