"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs
Тихов С.В.1, Карпович И.А.1, Гущина Ю.Ю.1, Истомин Л.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Tikhov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Исследовано влияние развитого нанорельефа поверхности покровного слоя, модифицированной анодным окислением и/или травлением, на характеристики водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs. Показано, что значительное увеличение чувствительности и быстродействия таких структур в основном связано с уменьшением эффективного расстояния от модифицированной поверхности, на которой происходит ионная хемосорбция атомарного водорода, до упруго сжатого слоя квантовой ямы InGaAs, задерживающего диффузию водорода, что увеличивает его концентрацию на этой поверхности. PACS: 81.07.-b, 81.07.St
  1. Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Ржанов А.Е. и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. N 2 (321). С. 3--39
  2. Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Звонков Б.Н. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 5. С. 582--586
  3. Тихов С.В., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Шоболов Е.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 9. С. 1--5
  4. Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В., Шилова Н.В. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 11. С. 120--125
  5. Родерик Э.К. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 207 с
  6. Гаман В.И., Дученко Н.О., Каныгина В.М. // Изв вузов. Физика. 1988. N 1. С. 69--83

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.