Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 23 » Статья стр. 25
<<<>>>
Механизм релаксации напряжений несоответствия при эпитаксиальном росте GaN на пористом SiC
Мынбаева М.Г.1, Константинов О.В.1, Мынбаев К.Д.1, Романов А.Е.1, Ситникова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
PDF версия
Обнаружено явление снижения плотности проникающих дислокаций при эпитаксиальном наращивании слоев GaN на подложке пористого SiC хлорид-гидридным методом. Предложено, что на ранних стадиях роста пористая подложка способна перераспределять напряжения в формирующейся гетероструктуре. Это приводит к реализации специфичного механизма релаксации напряжений через генерацию "сверхрешетки" плоскостных дефектов. На дальнейших стадиях роста эти дефекты препятствуют прорастанию дислокаций, что для слоев GaN толщиной 1 mum позволяет снизить плотность дислокаций на два порядка по сравнению со слоями, выращенными на непористой подложке. PACS: 81.05.Ea, 61.72.Ff, 61.72.-y
  1. Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 1571
  2. Sato N., Sakaguchi K., Yamagata K., Fujiyama Y., Nakayama J., Yonehara T. // Jap. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. P. 973
  3. Nikolaev A.E., Nikitina I., Zubrilov A., Mynbaeva M., Melnik Yu., Dmitriev V. // MRS Int. Journ. Nitride Semicond. Res. 2000. V. 5S1. P. W6
  4. Мынбаева М., Ситникова А., Трегубова А., Заморянская М., Ледяев О., Мынбаев К. // Тез. докл. 4-й Всерос. конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", СПб., 2005. С. 82
  5. Mynbaeva M., Lavrent'ev A., Kotousova I., Volkova A., Mynbaev K., Lebedev A. // Mater. Sci. Forum. 2005. V. 483--485. P. 269
  6. Вакуленко А.А., Кукушкин С.А. // ФТТ. 1998. Т. 40. С. 1259
  7. Romanov A.E. // Z. Metallkd. 2005. V. 96. N 5. P. 455.
  8. Lo Y.H. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2311
  9. Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V., Gutakovskii A., Pchelyakov O.P. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 4118
  10. Romanov A.E., Speck J.S. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. P. 901
  11. Николин Б.И. // Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наук. думка, 1984
  12. Gong J.R., Huang C.W., Tseng S.F., Lin T.Y., Lin K.M., Liao W.T., Tsai Y.L., Shic B.H., Wang C.L. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 260. P. 73
  13. Wang H.M., Zhang J.P., Chen C.Q., Fareed Q., Yang J.-W., Asif Khan M. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 604
  14. Morko c H. // Mater. Sci. Eng. R. 2001. V. 33. P. 135.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme