Исследование характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом (lambda=1060 nm) при импульсном режиме накачки
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Рожков А.В.1, Рудова Н.А.1, Слипченко С.О.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Хомылев М.А.1, Шамахов В.В.1, Борщев К.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Воронежский государственный университет
Email: tarasov@hpld.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.
В импульсном режиме накачки исследованы мощные полупроводниковые лазеры, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на основе асимметричных квантово-размерных лазерных гетероструктур раздельного ограничения с толстым волноводом. Для возбуждения лазерного излучения применялся генератор токовых импульсов с длительностью 100 ns, частотой повторения 10 kHz и силой тока до 200 A. Переход к импульсному режиму генерации позволил снизить перегрев активной области и увеличить излучаемую мощность до 145 W из лазерного диода с 100-mum апертурой. Исследование в импульсном режиме показало, что насыщение ватт-амперной характеристики в непрерывном режиме генерации полностью определяется перегревом активной области полупроводникового лазера. PACS: 42.55.Px
- Pikhtin N.A., S.O. Slipchenko S.O., Sokolova Z.N. et al. // Electron. Lett. 2004. V. 40. P. 1413
- Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 388
- Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 374
- Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 1477
- Asryan L.V., Gun'ko N.A., Polkovnikov A.S. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 1131
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук