Обнаружены и исследованы процессы образования и трансформации локальных эмиссионных центров при полевой электронной эмиссии пленки соединения золота с цезием на вольфрамовом острие. Стабильная электронная эмиссия с одного центра достигает плотности тока 10⁸ A/cm². Свойства центра изменялись при отборе больших эмиссионных токов и при нагревании. Полученные данные интерпретируются на основе рассмотрения разрушения диэлектрического соединения CsAu проходящим через пленку узким пучком тока с образованием столбика золота диаметром несколько нанометров и обратного процесса восстановления соединения на границах столбика за счет диффузионного притока цезия. PACS: 85.45.Db

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.