Хлоридная газофазная эпитаксия GaN слоев, выращенных на подложке Si(111) с AIN буферным подслоем
Бессолов В.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1, Мосина Г.Н.1, Раевский С.Д.1, Родин С.Н.1, Шарофидинов Ш.1, Щеглов М.П.1, Park Hee Seok1, Koike Masayoshi1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea
Поступила в редакцию: 17 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Методом хлоридной газофазной эпитаксии выращены ориентированные слои GaN толщиной около 10 mum на подложке Si(111) с буферными AlN подслоями. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции (FWHM) для лучших слоев omegatheta=3/ 4 mrad. Показано, что величина остаточных напряжений в буферных подслоях AIN уменьшается с ростом температуры эпитаксии, а при температурах около 1080oC происходит практически полностью релаксация напряжений, возникающих из-за разницы постоянных решетки AIN и Si.
- Strittmatter A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 1242
- Armitage R., Yang Q., Feick H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 1450
- Ying-Ge Yang et al. // Physica B. 2003. V. 325. P. 230
- Wakahara A. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 236. P. 21
- Zhang B.S. et al. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 258. P. 34
- Seong-Hwan Jang, Cheul-Ro Lee // J. Cryst. Growth. 2003. V. 253. P. 64
- Motoki K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V. 40. P. L140
- Kim S.T., Lee Y.J., Chung S.H., Moon D.C. // Semicond. Sci. Technol. 1999. V. 14. P. 156
- Yu P.W., Park C.S., Kim S.T. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 1692
- Davydov V.Yu., Averkiev N.S., Goncharuk I.N., Nelson D.K., Nikitina I.P., Semchinova O.K. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 5097
- Kuball M., Hayes J.M., Prins A.D., van Uden N.W.A., Dunstan D.J., Shi Y., Edgar H.J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 724
- Tavernier P.R., Imer B., DenBaars S.P., Clarke D.R. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 4630
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1977. Т. 22. N 2. С. 431
- Detchprohm T. et al. // Jpn. Appl. Phys. 1992. V. 31. L1454
- Akasaki I. et al. // J. Crystal Growth. 1998. V. 98. P. 209.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук