Радиационная стойкость квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя при воздействии нейтронного облучения разных спектров
Киселева Е.В.1, Оболенский С.В.1, Китаев М.А.1, Ткачев О.В.1, Шукайло В.П.1, Громов В.Т.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие нейтронов со средними энергиями 1.1 и 14 MeV на характеристики квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя: гомоструктурным GaAs буфером, гетеробуфером на основе AlGaAs, а также гетеробуфером на основе сверхрешетки AlAs/GaAs. Показано, что в данном ряду радиационная стойкость приборов последовательно повышается в 1.2-5 раз за счет эффекта компрессии траекторий движения электронов в канале транзистора, а также геттерирования радиационных дефектов гетерограницей буферного слоя.
- Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с
- Shur Michael S. // IEEE Electron Device Letters. 2002. V. 23. N 9. P. 511--514
- Волчков П.А., Журавлев К.С., Китаев М.А. и др. // Изв. РАН. Серия физическая. 2004. Т. 68. N 1. С. 94--101
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Ренгевич А.Е. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 8. С. 55--58
- Оболенский С.В., Китаев М.А. // Письма в ЖТФ. 2000. N 10. С. 13--16
- Оболенский С.В. // Изв. вузов: Электроника. 2002. N 6. С. 31--38
- Biersak J.P. // Nuclear instruments and methods in physic research. 1987. N 1. P. 21--36
- Киселева Е.В., Оболенский С.В. // ВАНТ. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. В. 1--2. С. 46--48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.