Вышедшие номера
Радиационная стойкость квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя при воздействии нейтронного облучения разных спектров
Киселева Е.В.1, Оболенский С.В.1, Китаев М.А.1, Ткачев О.В.1, Шукайло В.П.1, Громов В.Т.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Теоретически и экспериментально исследовано воздействие нейтронов со средними энергиями 1.1 и 14 MeV на характеристики квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя: гомоструктурным GaAs буфером, гетеробуфером на основе AlGaAs, а также гетеробуфером на основе сверхрешетки AlAs/GaAs. Показано, что в данном ряду радиационная стойкость приборов последовательно повышается в 1.2-5 раз за счет эффекта компрессии траекторий движения электронов в канале транзистора, а также геттерирования радиационных дефектов гетерограницей буферного слоя.