Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационная стойкость квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя при воздействии нейтронного облучения разных спектров
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 19 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие нейтронов со средними энергиями 1.1 и 14 MeV на характеристики квазибаллистических полевых транзисторов Шоттки с различными конструкциями буферного слоя: гомоструктурным GaAs буфером, гетеробуфером на основе AlGaAs, а также гетеробуфером на основе сверхрешетки AlAs/GaAs. Показано, что в данном ряду радиационная стойкость приборов последовательно повышается в 1.2-5 раз за счет эффекта компрессии траекторий движения электронов в канале транзистора, а также геттерирования радиационных дефектов гетерограницей буферного слоя.
- Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с
- Shur Michael S. // IEEE Electron Device Letters. 2002. V. 23. N 9. P. 511--514
- Волчков П.А., Журавлев К.С., Китаев М.А. и др. // Изв. РАН. Серия физическая. 2004. Т. 68. N 1. С. 94--101
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Ренгевич А.Е. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 8. С. 55--58
- Оболенский С.В., Китаев М.А. // Письма в ЖТФ. 2000. N 10. С. 13--16
- Оболенский С.В. // Изв. вузов: Электроника. 2002. N 6. С. 31--38
- Biersak J.P. // Nuclear instruments and methods in physic research. 1987. N 1. P. 21--36
- Киселева Е.В., Оболенский С.В. // ВАНТ. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. В. 1--2. С. 46--48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
