"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности технологии и свойств фотодетекторов на основе структур "металл-пористый карбид кремния"
Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Коровкина Н.М.1, Савенко А.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: root@post.etu.spb.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

Рассмотрены технологические аспекты формирования фотоприемных структур ультрафиолетового диапазона на основе диодов Шоттки Au-пористый карбид кремния (ПКК). Методами атомно-силовой микроскопии и сфокусированного ионного зонда в режимах микропрофилирования и формирования контраста показано, что использованные технологические операции позволяют получать слои ПКК толщиной 230/250 nm с развитой поверхностью и средним размером шероховатости 60/ 80 nm. Сопоставительный анализ фотоэлектрических свойств структур Au-SiC (6H) и Au-ПКК показал, что последние обладают более высокой фоточувствительностью и несколько отличающейся от обычной спектральной характеристикой.
  1. Kim S., Spanier J.E., Herman I.P. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 5875--5878
  2. Сорокин Л.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 22. С. 23--31
  3. Okojie R.S., Ned A.A., Kurtz A.D. // Sensor and Actuators. 1998. A 66. P. 200--204
  4. Афанасьев А.В., Ильин В.А., Петров А.А. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 5. С. 78--81
  5. Зи С. // Физика полупроводниковых приборов: 1 т. М.: Мир, 1984. 456 с
  6. Дмитрук Н.А., Борковская О.Ю., Конакова Р.В. и др. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 6. С. 44--49

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.