Визуализация ловушек в окисных полупроводниках с помощью термостимулированной электронной эмиссии
Нагорных С.Н., Павленков В.И.
Email: agpi@nts.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Наблюдались флуктуации плотности заряженных точечных дефектов в поверхностном окисном слое железо-никелевого сплава при регистрации термостимулированной электронной эмиссии.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. С. 416
- Horsthemke W., Malek Mansour M. // Zs. Phys. 1976. V. B24. P. 397--402
- Дружинин А.В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1961. Т. 25. С. 730--737
- Пантелеев В.А., Ершов С.Н., Черняховский В.В. и др. // ПЖЭТФ. 1976. Т. 23. В. 12. С. 688--691
- Brunsmann U., Scharmann I. // 4th International Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Liblice, 1973. P. 137--141
- Лапин Н.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. и др. // XLII Международная конференция "Актуальные проблемы прочности". Калуга, 2004. С. 105
- Кривоглаз М.А. // УФН. 1973. Т. 111. В. 4. С. 617--654
- Нагорных С.Н., Павленков В.И. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 4. С. 1--5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
