Применение несплавного омического контакта Cr/Au в технологии изготовления планарного арсенидгаллиевого p-i-n-диода балочного типа
Александров С.Е.1, Волков В.В.1, Иванова В.П.1, Кузьмичев Ю.С.1, Соловьев Ю.В.1
1ЗАО Светлана
Поступила в редакцию: 20 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Проведено исследование электрофизических параметров омических контактов Cr/Au на основе арсенида галлия в планарных p-i-n-диодах балочного типа. Величина приведенного контактного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2· 10-6 Omega·cm2. Показано, что параметры созданных планарных p-i-n-диодов балочного типа позволяют использовать их в качестве ограничительных элементов защитных устройств радиолокационных станций.
- Sung J. // J. of Crystal Growth. 1997. V. 178. P. 445--458
- Wood C.// J. of Crystal Growth. 1995. V. 150. N 3. P. 281
- Haragawa O. J. of Crystal Growth. 1995. V. 154. N 3. P. 231
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 327 с
- Слуднов Б.Е. // ФТП. 2004. Т. 3. В. 38. С. 274--277
- Sanada T., Wada O. // Japan. J. of Appl. Phys. 1980. V. 19. N 8. P. 491--494
- Piotrowska A., Guivarch A., Pelous G. // Solid-State Electronics. 1983. V. 26. N 3. P. 179--197
- Естигнеев С.В., Шипицин Д.С. // Физическое образование в вузах. 1999. Т. 5. N 1. С. 85--90
- Чикун В.В. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1991. В. 8 (442). С. 13--15
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук