Вышедшие номера
Применение несплавного омического контакта Cr/Au в технологии изготовления планарного арсенидгаллиевого p-i-n-диода балочного типа
Александров С.Е.1, Волков В.В.1, Иванова В.П.1, Кузьмичев Ю.С.1, Соловьев Ю.В.1
1ЗАО Светлана
Поступила в редакцию: 20 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Проведено исследование электрофизических параметров омических контактов Cr/Au на основе арсенида галлия в планарных p-i-n-диодах балочного типа. Величина приведенного контактного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2· 10-6 Omega·cm2. Показано, что параметры созданных планарных p-i-n-диодов балочного типа позволяют использовать их в качестве ограничительных элементов защитных устройств радиолокационных станций.