Распределение компонентов в структурах кремний-оксид кремния и кремний-оксид редкоземельного элемента
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерных реакций исследованы концентрационные профили элементов в структурах, содержащих слои оксидов редкоземельных элементов диспрозия и лютеция на кремниевых подложках, а также слои оксида кремния с примесью этих же редкоземельных элементов. Структуры изготавливались диффузионным методом. Результаты сопоставлены с концентрациями электрически активных примесей в диффузионных слоях кремния, определенными из измерения вольт-емкостных характеристик и поверхностного сопротивления, а также с результатами, полученными методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгенографического анализа.
- Соболев Н.А. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 7. С. 1153--1175
- Борисенко А.И. и др. // Докл. АН СССР. 1982. Т. 262. N 6. С. 1409--1412
- Gavrilov G., Krivchitch A., Lebedev V. // Nucl. Instr. Meth. A. 2003. V. 515. P. 108--117
- Гамарц А.Е., В.М. Лебедев В.М. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 10. С. 1195--1198
- Лебедев В.М., Лукьянов Ю.Г., Смолин В.А. // Труды XIII Междунар. конференции по электростатическим ускорителям. Обнинск, Россия. 25--28 мая 1999 г. Обнинск, 2001. С. 60--66
- Журавель Л.В., Латухина Н.В., Блытушкина Е.Ю. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2004. В. 3. С. 72--74
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук