"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительный кремниевый биполярный N-прибор с управляемой вольт-амперной характеристикой
Каштанкин И.А.1, Гурин Н.Т.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Разработан фоточувствительный N-прибор на основе двух кремниевых маломощных биполярных транзисторов с общей подложкой и шунтированием эмиттерного перехода одного транзистора другим. Показано, что при увеличении интенсивности инфракрасного излучения шунтирующего транзистора ток пика N-образной выходной вольт-амперной характеристики уменьшается вплоть до полного исчезновения пика. При увеличении интенсивности инфракрасного облучения шунтируемого транзистора ток пика существенно возрастает.
  1. Горяинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 320 с
  2. Касимов Ф.Д. // Микросистемная техника. 2003. N 4. С. 6--9
  3. Воробьева Т.А., Гурин Н.Т. // Изв. вузов. Электроника. 2002. N 5. С. 22--30
  4. Каштанкин И.А., Гурин Н.Т. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VI Международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2004. С. 106

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.