Фоточувствительный кремниевый биполярный N-прибор с управляемой вольт-амперной характеристикой
Каштанкин И.А.1, Гурин Н.Т.1
1Ульяновский государственный университет
Email: gurinnt@sv.ulsu.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Разработан фоточувствительный N-прибор на основе двух кремниевых маломощных биполярных транзисторов с общей подложкой и шунтированием эмиттерного перехода одного транзистора другим. Показано, что при увеличении интенсивности инфракрасного излучения шунтирующего транзистора ток пика N-образной выходной вольт-амперной характеристики уменьшается вплоть до полного исчезновения пика. При увеличении интенсивности инфракрасного облучения шунтируемого транзистора ток пика существенно возрастает.
- Горяинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 320 с
- Касимов Ф.Д. // Микросистемная техника. 2003. N 4. С. 6--9
- Воробьева Т.А., Гурин Н.Т. // Изв. вузов. Электроника. 2002. N 5. С. 22--30
- Каштанкин И.А., Гурин Н.Т. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VI Международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2004. С. 106
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук