Вышедшие номера
Особенности электронной дифракции наноструктурированных объектов для высокосимметричных проекций
Максимов С.К.1,2,3, Эрреро Р.1,2,3, Соболев Б.П.1,2,3
1Московский институт электронной техники (Технический университет)
2Institute of Material Science, Madrid, Spain
3Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: lemi@lemi.miee.ru
Поступила в редакцию: 24 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Кристаллы M1-xRxF2+x (M - Ca, Ba, Cd, a R - редкоземельные элементы, Ga, In) склонны к расслоению c нанометровым масштабом (наноструктурированности), что во многом определяет их свойства. На электронограммах наноструктурированных кристаллов наблюдаются рефлексы, отвечающие неизвестным по структуре объектам, но эти рефлексы могут полностью исчезать, при вариациях наклона образца <1o. Показано, что подавление нематричных рефлексов не связано со структурой, а обусловлено особенностями дифракции.