Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 22 » Статья стр. 44
<<<>>>
Получение и структурные исследования гетерокомпозиции на основе пористых слоев политипов SiC
Сорокин Л.М.1, Мосина Г.Н.1, Трегубова А.С.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
PDF версия
Исследовалась структура поперечных срезов гетерокомпозиции, состоящей из пористых слоев политипов карбида кремния (подложка 6H-SiC/пористый слой 6H-SiC/эпислой 3C-SiC/пористый слой 3C-SiC). Эпитаксиальные слои 3C-SiC политипа наращивались методом сублимации в вакууме на поверхности пористого слоя, полученного электрохимическим травлением подложки 6H-SiC политипа. Показано, что граница раздела эпислой 3С-SiC/пористый подслой 6H-SiC не содержит дефектного переходного слоя, а в выросшем эпитаксиальном слое 3C-SiC не выявлено дислокаций.
  1. Lebedev A.A., Mosina G.N., Nikitina I.P., Savkina N.S., Sorokin L.M., Tregubova A.S. // Technical Physics Letters. 2001. V. 27(12). P. 1052--1054
  2. Shor J.S., Grimberg I., Weiss B.Z., Kutz B.D. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2836
  3. Matsumoto T., Takahashi J., Tamaki T., Futagi T., Mimura H. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 226
  4. Konstantinov A.O., Harris C.I., Jansen E. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 2699
  5. Konstantinov A.O., Henry A., Harris C.I., Jansen E. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66(17). P. 2250
  6. Mynbaeva N.A., Savkina N.S. et al. // Mat. Res. Simp. 2000. V. 587(C). Mat. Res. Society. 08.6.1
  7. Savkina N.S., Ratnikov V.V., Rogachev A.Yu., Shuman V.B., Tregubova A.S., Volkova A.A. // Semiconductors. 2002. V. 36(7). P. 758
  8. Sorokin L.M., Savkina N.S., Shuman V.B., Lebedev A.A., Mosina G.N., Hutchison J.L. // Technical Physics Letters. 2002. V. 28(11). P. 935--938
  9. Takazava A., Tamura T., Yamada M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32(7). Part 1. P. 3148.
  10. Monguch T., Fujioka H., Ono K. et al. // J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145(7). P. 2241
  11. Lysenko V., Barbier D., Champagnon B. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79(15). P. 2366
  12. Andreev A.N., Smirnova N.Yu., Tregubova A.S., Scheglov M.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors. 1997. V. 31(3). P. 232--236
  13. Shin W., Hikosaka T., Seo W.-S., Ahn H.S., Sawaki N., Koumoto K. // J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145. N 7. P. 2456--2460
  14. Danishevskii A.M., Zamoryanskaya M.V., Sitnikova A.A., Shuman V.B., Suvorova A.A. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 1111
  15. Savkina N.S., Strel'chuk A.M., Sorokin L.M., Mosina G.N., Tregubova A.S., Solov'ev V.A., Lebedev A.A. // Materials Science Forum. 2003. V. 433--436. P. 293--296.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme