Вышедшие номера
Субнаносекундный электронный пучок, сформированный в газовом диоде при высоком давлении
Алексеев C.Б.1, Губанов В.П.1, Орловский В.М.1, Тарасенко В.Ф.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Email: VFT@loi.hcei.tsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Показано, что субнаносекундные электронные пучки в газовых диодах формируются при высоких давлениях (в гелии до 6 atm, в азоте до 4 atm). При заполнении диода воздухом атмосферного давления получена амплитуда тока пучка более 240 А при длительности импульса на полувысоте ~ 0.2 ns и плотности тока пучка ~ 40 A/cm2.