Субнаносекундный электронный пучок, сформированный в газовом диоде при высоком давлении
Алексеев C.Б.1, Губанов В.П.1, Орловский В.М.1, Тарасенко В.Ф.1
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Email: VFT@loi.hcei.tsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Показано, что субнаносекундные электронные пучки в газовых диодах формируются при высоких давлениях (в гелии до 6 atm, в азоте до 4 atm). При заполнении диода воздухом атмосферного давления получена амплитуда тока пучка более 240 А при длительности импульса на полувысоте ~ 0.2 ns и плотности тока пучка ~ 40 A/cm2.
- Алексеев С.Б., Орловский В.М., Тарасенко В.Ф. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 10. С. 29--35
- Алексеев С.Б., Орловский В.М., Тарасенко В.Ф. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 16. С. 45--53
- Алексеев С.Б., Губанов В.П., Орловский В.М. и др. // ПТЭ. 2003. N 4. C. 81--84
- Тарасенко В.Ф., Орловский В.М., Шунайлов С.А. // Изв. вузов. Физика. 2003. N 3. C. 94--95
- Тарасенко В.Ф., Яковленко С.И., Орловский В.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 77. С. 737--742
- Тарасенко В.Ф., Шпак В.Г., Шунайлов С.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 21. С. 1--6
- Ткачев А.Н., Яковленко С.И. // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 77. С. 264--269
- Губанов В.П., Коровин С.Д., Пегель И.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1996. N 12. C. 110--118
- Яландин М.И., Шпак В.Г. // ПТЭ. 2001. N 3. C. 5--31
- Бабич Л.П., Лойко Т.В., Цукерман В.А. // УФН. 1990. Т. 160. N 7. C. 49--82
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.