Вышедшие номера
Корреляция электрофизических и люминесцентных свойств GaAs высокой чистоты
Ботнарюк М.В.1, Жиляев Ю.В.1, Орлова Т.А.1, Полетаев Н.К.1, Федоров Л.М.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: poletaev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Исследовались эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией фоновой примеси ND-NA<1015 cm-3, полученные методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. Обнаружена корреляция электрофизических характеристик n-GaAs с длительным послесвечением спектральных линий краевой фотолюминесценции D0x и D0h, обусловленным центрами захвата дырок. Установлено, что с ростом концентрации центров захвата в n-GaAs уменьшается подвижность свободных носителей.