Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 19 » Статья стр. 25
<<<>>>
Корреляция электрофизических и люминесцентных свойств GaAs высокой чистоты
Ботнарюк М.В.1, Жиляев Ю.В.1, Орлова Т.А.1, Полетаев Н.К.1, Федоров Л.М.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: poletaev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
PDF версия
Исследовались эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией фоновой примеси ND-NA<1015 cm-3, полученные методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. Обнаружена корреляция электрофизических характеристик n-GaAs с длительным послесвечением спектральных линий краевой фотолюминесценции D0x и D0h, обусловленным центрами захвата дырок. Установлено, что с ростом концентрации центров захвата в n-GaAs уменьшается подвижность свободных носителей.
  1. Глинчук К.Д., Прохорович А.В. // ФТП. 2002. Т. 36 (5). С. 519
  2. Lu Z.H., Hanna M.C., Szmyd D.M., Goh E., Majerfeld A. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56 (2). P. 177
  3. Oelgart G., Gramlich S., Bergunde T., Richter E., Weyers M. // Material Sience and Enginering. 1997. B44. P. 228
  4. Zhilyaev(a) Yu.V., Poletaev(a) N.A., Botnaryuk(a) V.M. at al. // Phys. Stat. sol. (c). 2003. V. 0 (3). P. 1024--1027
  5. Акимов А.В., Криволапчук В.В., Полетаев Н.К., Шофман В.Г. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 2
  6. Акимов А.В., Каплянский А.А., Криволапчук В.В., Москаленко Е.С. // Письма в ЖЭТФ. 1987. Т. 46 (1). С. 35--39
  7. Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Полетаев Н.К. // ФТТ. 2002. Т. 45 (1)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme