Вышедшие номера
Фотоэлектронная спектроскопия тонкопленочных структур Yb-Si(100), формируемых методом твердофазной эпитаксии при 800 K
Вялых Д.В.1, Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1, Молодцов С.Л.1
1Institut fur Festkoerperphysik Fachrichtung Physik Technische Universitaet Dresden Dresden Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Email: m.mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

С помощью синхротронного излучения получены фотоэлектронные спектры тонкопленочных структур Yb-Si(100), формируемых методом твердофазной эпитаксии при 800 K. Их анализ показал, что в субмонослойной области покрытий поверхности кремния атомами Yb формирование двумерных упорядоченных структур сопровождается разрушением димеров, существующих на чистой реконструированной поверхности Si(100)2x1. В этой же области покрытий, начиная с самых малых их значений (theta=0.15), происходит зарождение силицидов. Установлено, что в слоистой структуре силицидов происходит перенос заряда из слоев иттербия в слои, образованные атомами Si. Сделан вывод, что в конечном счете этим переносом обусловлен характерный вид спектра остовногоSi 2p-уровня силицида, имеющий форму трезубца.