"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на микротвердость арсенида галлия
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Сихуашвили Н.1, Эристави Г.Л.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили, Грузия
Email: nugo@geo.net.ge
Поступила в редакцию: 16 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Исследуется влияние нейтронного облучения на микротвердость n-GaAs. Показано, что наблюдаемое ранее насыщение в процессе возрастания микротвердости, с увеличением дозы облучения, имеет место лишь в диапазоне - Phi~ 1015/ 5· 1016 n· cm-2. С повышением дозы облучения происходит дальнейшее возрастание микротвердости кристалла, связанное с увеличением роли созданных облучением разупорядоченных областей в n-GaAs.
  1. Кривов М.А., Потахова Г.И., Рыбкина Л.П. // Изв. вузов. Физика. 1966. В. 1. С. 190--191
  2. Доморяд И.А. // Действие радиоактивного излучения на вещества. Ташкент: ФАН, 1970. С. 27--29
  3. Сирота Н.Н., Курилович Н.Ф., Березина Г.М. // Докл. АН БССР. 1975. Т. XIX. N 10. С. 880--882
  4. Coates R., Mitchell E.W.J. // Advences in Physics. 1975. V. 24. N 5. P. 593--644
  5. Кладько В.П., Пляцко С.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 3. С. 261--263
  6. Глинчук К.Д., Прохорович А.В. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 5. С. 533--535
  7. Джибути З.В., Долидзе Н.Д., Цеквава Б.Е., Эристави Г.Л. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 13. С. 26--30
  8. Аблова М.С. // Методы испытания на микротвердость. Приборы. М.: Наука, 1965. С. 237--244.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.