Кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл"
Дубровский В.Г.1, Сибирев Н.В.1, Цырлин Г.Э.1
1Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург С.-Петербургский государственный университет
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Предложена новая кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл". Получено самосогласованное уравнение, позволяющее определить зависимость скороcти роста нитевидного кристалла от диаметра капли и условий роста. Объяснено, почему нанометровый нитевидный кристалл на капле с активирующим веществом растет во много раз быстрее, чем неактивированная поверхность кристалла. Полученные результаты обобщают феноменологическую модель роста нитевидных кристаллов Гиваргизова-Чернова, определяют функциональный вид и кинетические коэффициенты зависимости скорости роста от управляющих параметров ростового процесса и энергетических параметров системы. Приведены результаты численных расчетов зависимости скорости роста нитевидного кристалла от диаметра капли при различных условиях роста и сравнение с экспериментальными данными по выращиванию нанометровых нитевидных кристаллов GaAs на поверхности GaAs (111)B, активированной золотом.
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. N 5. P. 89
- Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с
- Hiruma K., Yazawa M., Katsuyama T., Ogawa K., Haraguchi K., Koguchi M. // Appl. Phys. 1995. V. 77. N 2, P. 447
- Duan X., Wang J., Lieber C.M. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. N 9. P. 1116
- Cui Y., Lauhon J., Gudiksen M.S., Wang J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N 15. P. 2214
- Ohlsson B.J., Bjork M.T., Magnusson M.H., Deppert K., Samuelson L. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 20. P. 3335
- Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров X.С., Демьянец Л.Н., Кузнецов В.А., Лобачев А.Н. Современная кристаллография. Т. III. Образование кристаллов. М.: Наука, 1980. 407 c
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. N 10. С. 1083
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 10
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук