Исследование роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных гетероструктур Ge-(Ge2)1-x(GaAs)x (0=< x=< 1.0), полученных из свинцового раствора-расплава методом жидкостной эпитаксии
Сапаев Б.1
1Физико-технический институт НПО "Физика
Поступила в редакцию: 25 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Рост широкозонного слоя GaAs на германиевых подложках осуществлялся методом жидкофазной эпитаксии из свинцового раствора-расплава в температурном интервале 700/ 650oC. Исследованы распределения химических компонентов по толщине эпитаксиального слоя. Согласно растровым картинам, снятым на характеристических рентгеновских излучениях, слои структурно совершенны, а распределение компонентов как по толщине, так и вдоль границы раздела достаточно монотонное, макроскопические дефекты и металлические включения отсутствуют. Были изучены спектры фотолюминесценции. На спектрах твердых растворов наблюдаются пики краевых полос с максимумами при hnu1=1.32 eV и hnu2=1.43 eV.
- Noreika A.J., Francole M.H. // Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 3690
- Gadien K.G., Zilko J.L., Eltonkky A.H., Greene I.E. // Vac. Sec. Technol. 1980. V. 17. N 1. P. 441
- Алфёров Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
- Алферов Ж.И., Вартанян Р.С., Корольков В.И. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 887--890
- Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 3. С. 369--373
- Саидов М.С., Саидов А.С., Никитин В.В., Ковардакова Г.Н. Устройства для жидкостной эпитаксии полупроводников. Авт. свид. N 2076160 от 16.03.77
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. 1-П. М.: Металлургиздат, 1962. С. 1487
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук