Управление длиной волны лазерной генерации в диапазоне 1.3-0.85 mum с помощью высокотемпературного отжига структур с квантовыми точками
Никитина Е.В.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Гладышев А.Г.1, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Исследовано влияние высокотемпературного отжига на свойства лазерной структуры с квантовыми точками InAs в сверхрешетке AlAs/GaAs. Показано, что при увеличении длительности отжига при 700oC длина волны генерации может плавно варьироваться от 1290 до 916 nm без изменения величины пороговой плотности тока (250 A/cm2, T0=110 K). Применение отжига при 750oC позволяет получить лазерную генерацию на длине волны 845 nm.
- Ustinov V.M., Zhukov A.E., Egorov A.Yu., Maleev N.A. // Quantum dot lasers. Oxford University Press, 2003. Oxford Science Publications, Series on semiconductor science and technology. V. 11
- Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р. и др. // ФТП. 2002. Т. 36 (11). С. 1400--1407
- Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р. и др. // ФТП. 2003. Т. 37 (12). С. 1461--1464
- Kosogov A.O., Werner P., Gosele U. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69 (20). P. 3072--3074
- Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р. и др. // ФТП. 1997. Т. 31 (1). С. 105--109
- Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V. et al. // Phys. Review B. 2000. V. 62 (24). P. 16 671--16 680
- Zhukov A.E., Ustinov V.M., Alferov Zh.I. Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Selected Topics in Electronics and Systems. V. 16. Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics (Eds M. Dutta and M.A. Stroscio. World Scientific, Singapore, 2000). P. 263--292
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.