Вышедшие номера
Управление длиной волны лазерной генерации в диапазоне 1.3-0.85 mum с помощью высокотемпературного отжига структур с квантовыми точками
Никитина Е.В.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Гладышев А.Г.1, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на свойства лазерной структуры с квантовыми точками InAs в сверхрешетке AlAs/GaAs. Показано, что при увеличении длительности отжига при 700oC длина волны генерации может плавно варьироваться от 1290 до 916 nm без изменения величины пороговой плотности тока (250 A/cm2, T0=110 K). Применение отжига при 750oC позволяет получить лазерную генерацию на длине волны 845 nm.