Фотоэлектронные спектры гетерограниц Yb-Si(100), сформированных при комнатной температуре
Вялых Д.В., Кузьмин М.В., Митцев М.А., Молодцов С.Л.
Email: molodtsov@physik.phy.tu-dresden.de
Поступила в редакцию: 12 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Методами фотоэлектронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследованы закономерности формирования границ раздела, образующихся при осаждении иттербия на реконструированную поверхность Si(100) 2x 1 при комнатной температуре. Показано, что в субмонослойной области покрытий осаждение иттербия на реконструированную поверхность Si(100) 2x 1 при 300 K приводит к разрушению димеров. Этот процесс сопровождается образованием аморфной пленки, в которой перемешаны атомы Yb и Si. При покрытиях theta>1.5 на поверхности формируется частично упорядоченная пленка металлического иттербия, в которой растворены атомы Si. На всех этапах формирования системы происходит перенос заряда от атомов Yb к атомам Si, вызывающий смещение остовного Si 2p-уровня. Особенно значителен этот сдвиг (на 1.5 eV) у атомов кремния, растворенных в металлической пленке.
- Hofmann R., Henle W.A., Netzer F.P. et al. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N 7. P. 3857--3863
- Landemark E., Karlsson C.J., Chao Y.-C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 69. N 10. P. 1588--1591
- Pi T.-W., Ouyang C.-P., Wen J.-F. et al. // Surf. Sci. 2002. V. 514. P. 327--331
- Cheng C.-P., Hong I.-H., Pi T.-W. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 7. P. 4066--4071
- Nakamura K., Yeom H.W., Koh H. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 165332 (7 pages)
- Kuzmin M., Perala R.E., Laukkanen P., Vaara R.-L., Mittsev M.A., Vayrynen I.J. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 214. P. 196--207
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук