Вышедшие номера
Фотоэлектронные спектры гетерограниц Yb-Si(100), сформированных при комнатной температуре
Вялых Д.В., Кузьмин М.В., Митцев М.А., Молодцов С.Л.
Email: molodtsov@physik.phy.tu-dresden.de
Поступила в редакцию: 12 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Методами фотоэлектронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследованы закономерности формирования границ раздела, образующихся при осаждении иттербия на реконструированную поверхность Si(100) 2x 1 при комнатной температуре. Показано, что в субмонослойной области покрытий осаждение иттербия на реконструированную поверхность Si(100) 2x 1 при 300 K приводит к разрушению димеров. Этот процесс сопровождается образованием аморфной пленки, в которой перемешаны атомы Yb и Si. При покрытиях theta>1.5 на поверхности формируется частично упорядоченная пленка металлического иттербия, в которой растворены атомы Si. На всех этапах формирования системы происходит перенос заряда от атомов Yb к атомам Si, вызывающий смещение остовного Si 2p-уровня. Особенно значителен этот сдвиг (на 1.5 eV) у атомов кремния, растворенных в металлической пленке.