Гетероструктуры InGaN/GaN, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота
Петров С.И.1, Кайдаш А.П.1, Красовицкий Д.М.1, Соколов И.А.1, Погорельский Ю.В.1, Чалый В.П.1, Шкурко А.П.1, Степанов М.В.1, Павленко М.В.1, Баранов Д.А.1
1ЗАО "Научное и технологическое оборудование", С.-Петербург
Email: support@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 16 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.
Гетероструктуры InGaN/GaN выращены методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовано влияние температуры и скорости роста на вхождение индия в слои и положение пика фотолюминесценции. На основе полученных результатов выбраны условия роста, которые можно считать базовыми для создания с помощью аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев InGaN как материала активной области светодиодов сине-фиолетового диапазона.
- Beharama M. et al. // Materials Research Society Simposium Proceedings. 1999. V. 572. P. 357
- Lackinson D.E. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. N 3. P. 1838--1842
- Strite S. et al. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 127. N 1--4. P. 204--208
- Grandjean N., Massies J. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1078--1080
- Bottcher T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 3232--3234
- Nakamura S., Fasol G. The Blue Laser Diode. Berlin: Springer, 1997
- Popovici G., Morkoc H., Mohammad S. // Group III Nitride Semiconductor Compounds / Ed by B. Gil. Oxford: Clarendon Press, 1998
- Grandjean N. et al. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 1379--1383
- Dalmasso S. et al. // Materials Science and Engineering. 2001. B82. P. 256--258
- Davydov V.Yu. et al. // Phys. stat. sol. (b). 2002. V. 234. N 3. P. 787--795
- Martin R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 263--265
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук