Вышедшие номера
Детекторы короткопробежных ионов с высоким энергетическим разрешением на основе 4H-SiC пленок
Иванов А.М.1, Калинина Е.В.1, Константинов А.О.1, Онушкин Г.А.1, Строкан Н.Б.1, Холуянов Г.Ф.1, Hallen А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden Royal Institute of Technology Department of Electronic, Electrum 229, Se 164 40 Kista, Sweden
Поступила в редакцию: 14 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследована разрешающая способность SiC-детекторов на примере спектрометрии alpha-частиц с энергией 5.1-5.5 MeV. Использовалась структура с барьером Шоттки на базе эпитаксиальных пленок n-4H-SiC, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Концентрация нескомпенсированных доноров составляла (1-2)· 1015 cm-3 при толщине пленки 26 mum. Впервые для SiC-детекторов достигнуто разрешение 0.5%, что позволило визуально выявлять пики тонкой структуры alpha-спектра. Для средней энергии образования пары электрон-дырка в 4H-SiC получено значение 7.71 eV.