Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2004, выпуск 13 » Статья стр. 89
<<<
Графитизация пористого 6H-SiC при термообработке в вакууме
Шуман В.Б.1, Савкина Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shuman@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.
PDF версия
На образцах 6H-SiC с пористым слоем на Si-грани изучено изменение пропускания в видимой и ближней ИК области, происходящее в результате термообработки в вакууме. Показано, что процесс графитизации начинается при температуре ниже 700oC.
  1. Van Bommel A.J., Crombeen J.E., Van Tooren A. // Surf. Sci. 1975. V. 48. P. 463--472
  2. Muehlhoff L., Choyke W.J., Bozak M.J. et al. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 8. P. 2842--2853
  3. Forbeaux J., Themlin J.-M., Debever J.-M. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 24. P. 16 396--16 406
  4. Shor J.S., Grimberg J., Weiss B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. N 22. P. 2836--2838
  5. Савкина Н.М., Ратников В.В., Шуман В.Б. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 2. С. 159--163
  6. Шуман В.Б., Ратников В.В., Савкина Н.С. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 10. С. 30--34
  7. Jungk G., Lange C.H. // Phys. Stat. Sol. B. 1972. V. 50. N 1. P. K71--K74

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme