Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерные диоды (lambda=0.98 mum) с узкой диаграммой направленности в вертикальной плоскости и низкими внутренними оптическими потерями
Слипченко С.О.1,2, Пихтин Н.А.1,2, Фетисова Н.В.1,2, Хомылев М.А.1,2, Мармалюк А.А.1,2, Никитин Д.Б.1,2, Падалица А.А.1,2, Булаев П.В.1,2, Залевский И.Д.1,2, Тарасов И.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии была изготовлена квантово-размерная InGaAs/AlGaAs/GaAs гетероструктура, конструкция которой оптимизировалась с целью снижения расходимости излучения в вертикальной плоскости и внутренних оптических потерь. В исследованных лазерных диодах в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, расходимость излучения на половине интенсивности составляла 16-19o. Внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход стимулированного излучения достигали 0.7 cm-1 и 97 % соответственно. Максимальная непрерывная мощность излучения составила 8.6 W.
- Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbuzov D.Z., Martinelly R.U., Connolly J.C. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1182
- Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 380
- He X., Srinivasan S., Wilson S., Mitchell C., Patel R. // Electronics Lett. 1998. V. 34. P. 46
- Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981
- Temmyo J., Sugo M. // Electronics Lett. 1995. V. 31. P. 642
- Vakhshoori D., Hobson W.S., Han H., Lopate J., Henein G.E., Wynn J.D., deJong J., Schnoes M.L., Zydzik G.J. // Electronics Lett. 1996. V. 32. P. 1007
- Verdiell J.M., Ziari M., Welch D.F. // Electronics Lett. 1996. V. 32. P. 1817
- Звонков Н.Б., Ахлестина С.А., Ершов А.В., Звонков Б.Н., Максимов Г.А., Ускова Е.А. // Квантовая электроника. 1999. Т. 26. С. 217
- Швейкин В.И., Геловани В.А. // Квантовая электроника. 2002. Т. 32. С. 683
- Donnely J.P., Huang R.K., Walpole J.N., Missaggia L.J., Harris C.T., Plant J.J., Bailey R.J., Mull D.E., Goodhue W.D., Turner G.W. // IEEE J. Quantum Electron. 2003. QE-39. P. 289
- Buda M., van de Roer T.G., Kaufmann L.M.F., Iordanche Gh. Cengher D., Diaconescu D., Petrescu-Prahova I.B., Haverkort E.M., van der Vleuten W., Wolter J.H. // IEEE J. of Selected Topics in Quantum Electron. 1997. QE-3. P. 173
- Булаев П.В., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Николаев Д.Н., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Бондарев А.Д., Залевский И.Д., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1144
- Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. // ПЖТФ. 2000. Т. 26 (7). С. 57
- Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. P. 1393
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
