Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2003, выпуск 21 » Статья стр. 82
<<<>>>
Влияние gamma-облучения на свойства p-n-p-структуры на основе поликристаллического теллурида кадмия
Жанабергенов Ж.1, Мирсагатов Ш.А.1, Каражанов С.Ж.1, Музаффарова С.1
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: Smag@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 5 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
PDF версия
Экспериментально обнаружено немонотонное изменение выходных параметров p-n-p-структуры на основе пленок поликристаллического теллурида кадмия с ростом дозы облучения gamma-квантами. Установлено, что причиной тому является расширение толщины базы и немонотонность дозовой зависимости времени жизни неосновных носителей заряда, сопровождаемой перезарядкой поверхностных состояний и изменением высоты потенциального барьера на границах зерен.
  1. Baruch P. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. P. 153--157
  2. Yamaguchi M., Taylor S.J., Yang M.-Ju, Matsuda S., Kawasaki O., Hisamatsu T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. N 7. Part 1. P.3918--3922
  3. Yamaguchi T., Taylor S.J., Watanade S., Ando K., Yamaguchi M., Hisamatsu T., Matsuda S. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 10. P. 1226--1228
  4. Imaizumi M., Taylor S.J., Yamaguchi M., Ito T., Hisamatsu T., Matsuda S. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 3. P.1916--1920
  5. Keevers M.J., Green M.A. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 8. P. 4022--4030
  6. Karazhanov S.Zh. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 8. P. 3707--3714
  7. Мирсагатов Ш.А., Султанов А.И., Музаффарова С.А. // Гелиотехника. 1986. N 2. С. 5--8
  8. Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 1. С. 23--27
  9. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. С. 192
  10. Шейнкман М.К., Шик А.Я. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 2., С. 209--233
  11. Каримов М., Караходжаев А. // Изв. вузов. Физика. 2000. N 7. С. 3--6
  12. Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A.Yu. // Phys. Stat. Sol. (b). 1987. V. 100. N 1. P. 221--231
  13. Каражанов С.Ж. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 10. С. 65--69
  14. Юнусов М.С., Абдурахманова С.М., Зайковская и др. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1989. С. 224
  15. Мирсагатов Ш.А., Музаффарова С.А. // Гелиотехника. 1983. N 2. С. 18--21
  16. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. Wiley, New York, 1969
  17. Chadi // Mater. Sci. Forum. 1997. Part 3. P. 1321--1328

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme