Исследовались электрические свойства эвтектической композиции GaSb-V₂Ga₅, где при направленной кристаллизации сверхпроводящая фаза V₂Ga₅ в полупроводниковой матрице GaSb формируется в виде ориентированных длинных вискеров. Показано, что в зависимости от угла между направлением электрического тока и вискеров электрические свойства различных образцов из одного материала или же одного образца управляемы. Особенности температурной зависимости, а также возможности управления сверхпроводимостью эвтектики объясняются дискретными сверхпроводящими областями из джозефсоновских контактов сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник (S-Sm-S-Sm-S...), вискерами, состоящими из цепочки микромостиков (S-S'-S-S'-S...), а также бесконечными кластерами из их комбинации (S-S'-S-Sm-S-S'-S).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.