"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние гамма-радиации на характеристические сопротивления нитридгаллиевых гетероструктурных транзисторов с высокой подвижностью электронов
Куракин А.М.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев
Email: Andrey.Kurakin@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Представлены результаты исследования влияния гамма-излучения Co60 на транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ) на основе гетероструктуры AlGaN/GaN. Анализируются дозовые зависимости суммарного сопротивления контактов истока и стока транзистора, которые получены с использованием графоаналитического метода расчета характеристических сопротивлений ВПЭ-транзистора. Обнаружено, что контакты испытывают существенную деградацию при воздействии излучения, что оказывает пагубное влияние на работоспособность транзистора и может обусловливать наблюдаемое ухудшение параметров транзистора (тока насыщения, крутизны).
  • Морозов С.Г., Спиридонов Н.С., Туз А.Д. // Электронная техника СВЧ. Полупроводниковые приборы. 1987. N 2. С. 100--101
  • Molecular beam epitaxy and heterostructures / Ed. by L.L. Chang. New York, 1985. 580 p
  • Vitusevich S.A., Klein N., Belyaev A.E. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 195. N 1. P. 101--105
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.